AQX IRF7416TRPBF Chip Ic Sirkuit Terpadu Baru dan Asli IRF7416TRPBF
Atribut Produk
| JENIS | KETERANGAN |
| Kategori | Produk Semikonduktor Diskrit |
| Mfr | Teknologi Infineon |
| Seri | HEXFET® |
| Kemasan | Pita & Gulungan (TR) Potong Pita (CT) Digi-Reel® |
| Status Produk | Aktif |
| Tipe FET | Saluran-P |
| Teknologi | MOSFET (Logam Oksida) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | abad ke-30 |
| Arus – Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 4.5V, 10V |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5.6A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Vgs (Maks) | ±20V |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Fitur FET | - |
| Disipasi Daya (Maks) | 2,5W (Ta) |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
| Paket Perangkat Pemasok | 8-JADI |
| Paket / Kasus | 8-SOIC (0,154″, Lebar 3,90mm) |
| Nomor Produk Dasar | IRF7416 |
Dokumen & Media
| JENIS SUMBER DAYA | TAUTAN |
| Lembar data | IRF7416PbF |
| Dokumen Terkait Lainnya | Sistem Penomoran Bagian IR |
| Modul Pelatihan Produk | Sirkuit Terpadu Tegangan Tinggi (Driver Gerbang HVIC) |
| Produk unggulan | Sistem Pengolahan Data |
| Lembar Data HTML | IRF7416PbF |
| Model EDA | IRF7416TRPBF oleh Pustakawan Ultra |
| Model Simulasi | Model Pedang IRF7416PBF |
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
| ATRIBUT | KETERANGAN |
| Status RoHS | Sesuai ROHS3 |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) | 1 (Tidak terbatas) |
| Status MENCAPAI | REACH Tidak Terpengaruh |
| ECCN | TELINGA99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumber daya tambahan
| ATRIBUT | KETERANGAN |
| Nama lain | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
| Paket standar | 4.000 |
IRF7416
Manfaat
Struktur sel planar untuk SOA lebar
Dioptimalkan untuk ketersediaan terluas dari mitra distribusi
Kualifikasi produk sesuai standar JEDEC
Silikon dioptimalkan untuk peralihan aplikasi di bawah <100KHz
Paket daya pemasangan di permukaan standar industri
Mampu disolder gelombang
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET dalam paket SO-8
Manfaat
Sesuai RoHS
RDS rendah (aktif)
Kualitas terdepan di industri
Peringkat dv/dt dinamis
Peralihan Cepat
Nilai Longsor Sepenuhnya
Suhu Pengoperasian 175°C
MOSFET Saluran-P
Transistor
Transistor adalah aperangkat semikonduktorbiasanyamemperkuatataumengalihkansinyal listrik dankekuatan.Transistor adalah salah satu blok bangunan dasar modernelektronik.[1]Ini terdiri daribahan semikonduktor, biasanya dengan setidaknya tigaterminaluntuk koneksi ke sirkuit elektronik.Ateganganatausaat iniditerapkan pada satu pasang terminal transistor mengontrol arus melalui sepasang terminal lainnya.Karena daya (output) yang dikontrol bisa lebih tinggi daripada daya pengontrol (input), transistor dapat memperkuat sinyal.Beberapa transistor dikemas secara individual, namun lebih banyak lagi yang ditemukan tertanam di dalamnyasirkuit terintegrasi.
Austria-Hongaria fisikawan Julius Edgar Lilienfeldmengusulkan konsep atransistor efek medanpada tahun 1926, namun pada saat itu tidak mungkin untuk benar-benar membuat perangkat yang berfungsi.[2]Perangkat kerja pertama yang dibuat adalah atransistor kontak titikditemukan pada tahun 1947 oleh fisikawan AmerikaJohn BardeenDanWalter Brattainsaat bekerja di bawahWilliam ShockleypadaLaboratorium Lonceng.Ketiganya berbagi tahun 1956Hadiah Nobel Fisikaatas pencapaian mereka.[3]Jenis transistor yang paling banyak digunakan adalahtransistor efek medan logam-oksida-semikonduktor(MOSFET), yang ditemukan olehMohamed AtalaDanDawon Kahngdi Bell Labs pada tahun 1959.[4][5][6]Transistor merevolusi bidang elektronik, dan membuka jalan bagi teknologi yang lebih kecil dan lebih murahradio,kalkulator, Dankomputer, antara lain.
Kebanyakan transistor terbuat dari bahan yang sangat murnisilikon, dan beberapa dariJerman, tetapi bahan semikonduktor tertentu lainnya terkadang digunakan.Suatu transistor mungkin hanya mempunyai satu jenis pembawa muatan, dalam transistor efek medan, atau mungkin mempunyai dua jenis pembawa muatan dalam transistor efek medan.transistor sambungan bipolarperangkat.Dibandingkan dengantabung vakum, transistor umumnya lebih kecil dan membutuhkan lebih sedikit daya untuk beroperasi.Tabung vakum tertentu memiliki keunggulan dibandingkan transistor pada frekuensi operasi yang sangat tinggi atau tegangan operasi yang tinggi.Banyak jenis transistor dibuat dengan spesifikasi standar oleh banyak produsen.
