pesanan_bg

produk

IPD068P03L3G Komponen Elektronik Asli Baru Chip IC Layanan MCU BOM Tersedia IPD068P03L3G

Deskripsi Singkat:


Rincian produk

Label Produk

Atribut Produk

JENIS KETERANGAN
Kategori Produk Semikonduktor Diskrit

Transistor – FET, MOSFET – Tunggal

Mfr Teknologi Infineon
Seri Optimalkan™
Kemasan Pita & Gulungan (TR)

Potong Pita (CT)

Digi-Reel®

Status Produk Aktif
Tipe FET Saluran-P
Teknologi MOSFET (Logam Oksida)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) abad ke-30
Arus – Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) 4.5V, 10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 6,8mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id 2V @ 150µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Vgs (Maks) ±20V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds 7720 pF @ 15V
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 100W (Tc)
Suhu Operasional -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket Perangkat Pemasok PG-TO252-3
Paket / Kasus TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar IPD068

Dokumen & Media

JENIS SUMBER DAYA TAUTAN
Lembar data IPD068P03L3 G
Dokumen Terkait Lainnya Panduan Nomor Bagian
Produk unggulan Sistem Pengolahan Data
Lembar Data HTML IPD068P03L3 G
Model EDA IPD068P03L3GATMA1 oleh Pustakawan Ultra

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

ATRIBUT KETERANGAN
Status RoHS Sesuai ROHS3
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) 1 (Tidak terbatas)
Status MENCAPAI REACH Tidak Terpengaruh
ECCN TELINGA99
HTSUS 8541.29.0095

Sumber daya tambahan

ATRIBUT KETERANGAN
Nama lain IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Paket standar 2.500

Transistor

Transistor adalah aperangkat semikonduktorbiasanyamemperkuatataumengalihkansinyal listrik dankekuatan.Transistor adalah salah satu blok bangunan dasar modernelektronik.[1]Ini terdiri daribahan semikonduktor, biasanya dengan setidaknya tigaterminaluntuk koneksi ke sirkuit elektronik.Ateganganatausaat iniditerapkan pada satu pasang terminal transistor mengontrol arus melalui sepasang terminal lainnya.Karena daya (output) yang dikontrol bisa lebih tinggi daripada daya pengontrol (input), transistor dapat memperkuat sinyal.Beberapa transistor dikemas secara individual, namun lebih banyak lagi yang ditemukan tertanam di dalamnyasirkuit terintegrasi.

Austria-Hongaria fisikawan Julius Edgar Lilienfeldmengusulkan konsep atransistor efek medanpada tahun 1926, namun pada saat itu tidak mungkin untuk benar-benar membuat perangkat yang berfungsi.[2]Perangkat kerja pertama yang dibuat adalah atransistor kontak titikditemukan pada tahun 1947 oleh fisikawan AmerikaJohn BardeenDanWalter Brattainsaat bekerja di bawahWilliam ShockleypadaLaboratorium Lonceng.Ketiganya berbagi tahun 1956Hadiah Nobel Fisikaatas pencapaian mereka.[3]Jenis transistor yang paling banyak digunakan adalahtransistor efek medan logam-oksida-semikonduktor(MOSFET), yang ditemukan olehMohamed AtalaDanDawon Kahngdi Bell Labs pada tahun 1959.[4][5][6]Transistor merevolusi bidang elektronik, dan membuka jalan bagi teknologi yang lebih kecil dan lebih murahradio,kalkulator, Dankomputer, antara lain.

Kebanyakan transistor terbuat dari bahan yang sangat murnisilikon, dan beberapa dariJerman, tetapi bahan semikonduktor tertentu lainnya terkadang digunakan.Suatu transistor mungkin hanya mempunyai satu jenis pembawa muatan, dalam transistor efek medan, atau mungkin mempunyai dua jenis pembawa muatan dalam transistor efek medan.transistor sambungan bipolarperangkat.Dibandingkan dengantabung vakum, transistor umumnya lebih kecil dan membutuhkan lebih sedikit daya untuk beroperasi.Tabung vakum tertentu memiliki keunggulan dibandingkan transistor pada frekuensi operasi yang sangat tinggi atau tegangan operasi yang tinggi.Banyak jenis transistor dibuat dengan spesifikasi standar oleh banyak produsen.


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami