IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 Chip IC Komponen Elektronik Baru

Deskripsi Singkat:

Kirim email ke kami Unduh Lembar Tanggal

Rincian produk

Label Produk

IPD042P03L3 G
Mode peningkatan saluran-P Field-Effect Transistor (FET), -30 V, D-PAK
Rangkaian Opti MOS™ Infineon yang sangat inovatif mencakup MOSFET daya saluran-p.Produk-produk ini secara konsisten memenuhi tuntutan kualitas dan kinerja tertinggi dalam spesifikasi utama untuk desain sistem tenaga seperti ketahanan di negara bagian dan karakteristik yang sesuai.

Ringkasan Fitur
Modus peningkatan
Tingkat logika
Longsoran dinilai
Peralihan cepat
Peringkat Dv/dt
Pelapisan timah bebas Pb
Sesuai RoHS, bebas Halogen
Memenuhi syarat menurut AEC Q101
Penerapan Potensial
Fungsi Manajemen Daya
Kontrol motorik
Pengisi daya terpasang
DC-DC
Konsumen
Penerjemah tingkat logika
Driver gerbang MOSFET daya
Aplikasi peralihan lainnya

Spesifikasi

Atribut Produk	Nilai Atribut
Pabrikan:	Infineon
Kategori Produk:	MOSFET
RoHS:	Detail
Teknologi:	Si
Gaya Pemasangan:	SMD/SMT
Paket / Kasus:	KE-252-3
Polaritas Transistor:	Saluran-P
Jumlah Saluran:	1 Saluran
Vds – Tegangan Kerusakan Sumber Pembuangan:	abad ke-30
Id – Arus Pembuangan Berkelanjutan:	70 A
Rds On – Resistensi Sumber Saluran:	3,5 mOhm
Vgs – Tegangan Sumber Gerbang:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – Tegangan Ambang Gerbang-Sumber:	2V
Qg – Biaya Gerbang:	175 nC
Suhu Operasional Minimum:	- 55 C
Suhu Operasional Maksimum:	+ 175 C
Pd – Pembuangan Daya:	150 watt
Modus Saluran:	Peningkatan
Nama dagang:	Optimal
Kemasan:	Kumparan
Kemasan:	Potong Pita
Kemasan:	Gulungan Tikus
Merek:	Teknologi Infineon
Konfigurasi:	Lajang
Waktu Musim Gugur:	22 ns
Transkonduktansi Maju – Min:	65 S
Tinggi:	2,3 mm
Panjang:	6,5 mm
Tipe produk:	MOSFET
Waktu Naik:	167 ns
Seri:	OptimOS P3
Jumlah Paket Pabrik:	2500
Subkategori:	MOSFET
Jenis Transistor:	1 Saluran P
Waktu Tunda Matikan yang Khas:	89 ns
Waktu Tunda Pengaktifan Khas:	21 ns
Lebar:	6,22mm
Bagian # Alias:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
Berat unit:	0,011640 ons