IPD068P03L3G Komponen Elektronik Asli Baru Chip IC Layanan MCU BOM Tersedia IPD068P03L3G
Atribut Produk
JENIS | KETERANGAN |
Kategori | Produk Semikonduktor Diskrit |
Mfr | Teknologi Infineon |
Seri | Optimalkan™ |
Kemasan | Pita & Gulungan (TR) Potong Pita (CT) Digi-Reel® |
Status Produk | Aktif |
Tipe FET | Saluran-P |
Teknologi | MOSFET (Logam Oksida) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | abad ke-30 |
Arus – Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 4.5V, 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 6,8mOhm @ 70A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 150µA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | ±20V |
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds | 7720 pF @ 15V |
Fitur FET | - |
Disipasi Daya (Maks) | 100W (Tc) |
Suhu Operasional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
Paket Perangkat Pemasok | PG-TO252-3 |
Paket / Kasus | TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63 |
Nomor Produk Dasar | IPD068 |
Dokumen & Media
JENIS SUMBER DAYA | TAUTAN |
Lembar data | IPD068P03L3 G |
Dokumen Terkait Lainnya | Panduan Nomor Bagian |
Produk unggulan | Sistem Pengolahan Data |
Lembar Data HTML | IPD068P03L3 G |
Model EDA | IPD068P03L3GATMA1 oleh Pustakawan Ultra |
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
ATRIBUT | KETERANGAN |
Status RoHS | Sesuai ROHS3 |
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) | 1 (Tidak terbatas) |
Status MENCAPAI | REACH Tidak Terpengaruh |
ECCN | TELINGA99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumber daya tambahan
ATRIBUT | KETERANGAN |
Nama lain | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
Paket standar | 2.500 |
Transistor
Transistor adalah aperangkat semikonduktorbiasanyamemperkuatataumengalihkansinyal listrik dankekuatan.Transistor adalah salah satu blok bangunan dasar modernelektronik.[1]Ini terdiri daribahan semikonduktor, biasanya dengan setidaknya tigaterminaluntuk koneksi ke sirkuit elektronik.Ateganganatausaat iniditerapkan pada satu pasang terminal transistor mengontrol arus melalui sepasang terminal lainnya.Karena daya (output) yang dikontrol bisa lebih tinggi daripada daya pengontrol (input), transistor dapat memperkuat sinyal.Beberapa transistor dikemas secara individual, namun lebih banyak lagi yang ditemukan tertanam di dalamnyasirkuit terintegrasi.
Austria-Hongaria fisikawan Julius Edgar Lilienfeldmengusulkan konsep atransistor efek medanpada tahun 1926, namun pada saat itu tidak mungkin untuk benar-benar membuat perangkat yang berfungsi.[2]Perangkat kerja pertama yang dibuat adalah atransistor kontak titikditemukan pada tahun 1947 oleh fisikawan AmerikaJohn BardeenDanWalter Brattainsaat bekerja di bawahWilliam ShockleypadaLaboratorium Lonceng.Ketiganya berbagi tahun 1956Hadiah Nobel Fisikaatas pencapaian mereka.[3]Jenis transistor yang paling banyak digunakan adalahtransistor efek medan logam-oksida-semikonduktor(MOSFET), yang ditemukan olehMohamed AtalaDanDawon Kahngdi Bell Labs pada tahun 1959.[4][5][6]Transistor merevolusi bidang elektronik, dan membuka jalan bagi teknologi yang lebih kecil dan lebih murahradio,kalkulator, Dankomputer, antara lain.
Kebanyakan transistor terbuat dari bahan yang sangat murnisilikon, dan beberapa dariJerman, tetapi bahan semikonduktor tertentu lainnya terkadang digunakan.Suatu transistor mungkin hanya mempunyai satu jenis pembawa muatan, dalam transistor efek medan, atau mungkin mempunyai dua jenis pembawa muatan dalam transistor efek medan.transistor sambungan bipolarperangkat.Dibandingkan dengantabung vakum, transistor umumnya lebih kecil dan membutuhkan lebih sedikit daya untuk beroperasi.Tabung vakum tertentu memiliki keunggulan dibandingkan transistor pada frekuensi operasi yang sangat tinggi atau tegangan operasi yang tinggi.Banyak jenis transistor dibuat dengan spesifikasi standar oleh banyak produsen.