Chip Merrill Baru & Asli Tersedia Komponen Elektronik Sirkuit Terpadu IC IRFB4110PBF
Atribut Produk
| JENIS | KETERANGAN |
| Kategori | Produk Semikonduktor Diskrit |
| Mfr | Teknologi Infineon |
| Seri | HEXFET® |
| Kemasan | Tabung |
| Status Produk | Aktif |
| Tipe FET | N-Saluran |
| Teknologi | MOSFET (Logam Oksida) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 100V |
| Arus – Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 10V |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 4,5mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Vgs (Maks) | ±20V |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds | 9620 pF @ 50 V |
| Fitur FET | - |
| Disipasi Daya (Maks) | 370W (Tc) |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Melalui Lubang |
| Paket Perangkat Pemasok | KE-220AB |
| Paket / Kasus | KE-220-3 |
| Nomor Produk Dasar | IRFB4110 |
Dokumen & Media
| JENIS SUMBER DAYA | TAUTAN |
| Lembar data | IRFB4110PbF |
| Dokumen Terkait Lainnya | Sistem Penomoran Bagian IR |
| Modul Pelatihan Produk | Sirkuit Terpadu Tegangan Tinggi (Driver Gerbang HVIC) |
| Produk unggulan | Robotika dan Kendaraan Terpandu Otomatis (AGV) |
| Lembar Data HTML | IRFB4110PbF |
| Model EDA | IRFB4110PBF oleh SnapEDA |
| Model Simulasi | Model Pedang IRFB4110PBF |
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
| ATRIBUT | KETERANGAN |
| Status RoHS | Sesuai ROHS3 |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) | 1 (Tidak terbatas) |
| Status MENCAPAI | REACH Tidak Terpengaruh |
| ECCN | TELINGA99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumber daya tambahan
| ATRIBUT | KETERANGAN |
| Nama lain | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
| Paket standar | 50 |
Rangkaian MOSFET daya IRFET™ Kuat dioptimalkan untuk RDS(aktif) rendah dan kemampuan arus tinggi.Perangkat ini ideal untuk aplikasi frekuensi rendah yang memerlukan kinerja dan ketangguhan.Portofolio komprehensif menangani berbagai aplikasi termasuk motor DC, sistem manajemen baterai, inverter, dan konverter DC-DC.
Ringkasan Fitur
Paket daya melalui lubang standar industri
Peringkat arus tinggi
Kualifikasi produk sesuai standar JEDEC
Silikon dioptimalkan untuk aplikasi yang beralih di bawah <100 kHz
Body-diode lebih lembut dibandingkan silikon generasi sebelumnya
Portofolio luas tersedia
Manfaat
Pinout standar memungkinkan penggantian drop in
Paket kemampuan membawa arus tinggi
Tingkat kualifikasi standar industri
Performa tinggi dalam aplikasi frekuensi rendah
Peningkatan kepadatan daya
Memberikan fleksibilitas kepada desainer dalam memilih perangkat yang paling optimal untuk aplikasi mereka
Para-metrik
| Parametrik | IRFB4110 |
| Harga Anggaran €/1k | 1,99 |
| ID (@25°C) maks | 180 A |
| Pemasangan | THT |
| Suhu Pengoperasian min maks | -55 °C 175 °C |
| Pto maks | 370 watt |
| Kemasan | KE-220 |
| Polaritas | N |
| QG (ketik @10V) | 150 nC |
| Qgd | 43 nC |
| RDS (aktif) (@10V) maks | 4,5 mΩ |
| RthJC maks | 0,4 K/W |
| Tj maks | 175 °C |
| VDS maks | 100V |
| VGS(th) min maks | 3V 2V 4V |
| VGS maks | abad ke-20 |
Produk Semikonduktor Diskrit
Produk semikonduktor diskrit mencakup transistor individual, dioda, dan thyristor, serta rangkaian kecil yang terdiri dari dua, tiga, empat, atau sejumlah kecil perangkat serupa lainnya dalam satu paket.Mereka paling sering digunakan untuk membangun rangkaian dengan tegangan atau tegangan arus yang besar, atau untuk mewujudkan fungsi rangkaian yang sangat mendasar.
