Chip IC IRF7103TRPBF Komponen Elektronik Baru dan Asli
Atribut Produk
| JENIS | KETERANGAN |
| Kategori | Produk Semikonduktor Diskrit |
| Mfr | Teknologi Infineon |
| Seri | HEXFET® |
| Kemasan | Pita & Gulungan (TR) Potong Pita (CT) Digi-Reel® |
| Status Produk | Aktif |
| Tipe FET | 2 Saluran-N (Ganda) |
| Fitur FET | Standar |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 30V |
| Arus – Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 6.5A |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5,8A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Daya – Maks | 2W |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
| Paket / Kasus | 8-SOIC (0,154″, Lebar 3,90mm) |
| Paket Perangkat Pemasok | 8-JADI |
| Nomor Produk Dasar | IRF7313 |
Dokumen & Media
| JENIS SUMBER DAYA | TAUTAN |
| Lembar data | IRF7313PbF |
| Dokumen Terkait Lainnya | Sistem Penomoran Bagian IR |
| Modul Pelatihan Produk | MOSFET Daya Diskrit 40V dan Di Bawah |
| Produk unggulan | Sistem Pengolahan Data |
| Lembar Data HTML | IRF7313PbF |
| Model Simulasi | Model Pedang IRF7313 |
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
| ATRIBUT | KETERANGAN |
| Status RoHS | Sesuai ROHS3 |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) | 1 (Tidak terbatas) |
| Status MENCAPAI | REACH Tidak Terpengaruh |
| ECCN | TELINGA99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumber daya tambahan
| ATRIBUT | KETERANGAN |
| Nama lain | IRF7313PBFDKR SP001562160 IRF7313PBFCT IRF7313PBFTR *IRF7313TRPBF |
| Paket standar | 4.000 |
Transistor adalah perangkat semikonduktor yang biasa digunakan pada amplifier atau sakelar yang dikontrol secara elektronik.Transistor adalah blok bangunan dasar yang mengatur pengoperasian komputer, telepon seluler, dan semua sirkuit elektronik modern lainnya.
Karena kecepatan responsnya yang cepat dan akurasi yang tinggi, transistor dapat digunakan untuk berbagai fungsi digital dan analog, termasuk amplifikasi, switching, pengatur tegangan, modulasi sinyal, dan osilator.Transistor dapat dikemas secara individual atau dalam area yang sangat kecil yang dapat menampung 100 juta atau lebih transistor sebagai bagian dari suatu sirkuit terpadu.
Dibandingkan dengan tabung elektron, transistor memiliki banyak keunggulan:
1.Komponen tidak memiliki konsumsi
Betapapun bagusnya tabung tersebut, lambat laun akan rusak karena perubahan atom katoda dan kebocoran udara yang kronis.Karena alasan teknis, transistor mempunyai masalah yang sama ketika pertama kali dibuat.Dengan kemajuan material dan perbaikan di banyak aspek, transistor biasanya bertahan 100 hingga 1.000 kali lebih lama dibandingkan tabung elektronik.
2. Mengkonsumsi daya yang sangat sedikit
Itu hanya sepersepuluh atau puluhan dari salah satu tabung elektron.Tidak perlu memanaskan filamen untuk menghasilkan elektron bebas seperti tabung elektron.Radio transistor hanya memerlukan beberapa baterai kering untuk mendengarkan selama enam bulan dalam setahun, hal ini sulit dilakukan untuk radio tabung.
3. Tidak perlu dipanaskan terlebih dahulu
Bekerja segera setelah Anda menyalakannya.Misalnya, radio transistor mati segera setelah dinyalakan, dan televisi transistor menampilkan gambar segera setelah dihidupkan.Peralatan tabung vakum tidak bisa melakukan itu.Setelah booting, tunggu beberapa saat hingga terdengar suaranya, lihat gambarnya.Jelasnya, dalam bidang militer, pengukuran, pencatatan, dll., transistor sangat menguntungkan.
4. Kuat dan dapat diandalkan
100 kali lebih dapat diandalkan dibandingkan tabung elektron, tahan guncangan, tahan getaran, yang tidak ada bandingannya dengan tabung elektron.Selain itu, ukuran transistor hanya sepersepuluh hingga seperseratus dari ukuran tabung elektron, pelepasan panas yang sangat kecil, dapat digunakan untuk merancang rangkaian yang kecil, kompleks, dan andal.Meskipun proses pembuatan transistor tepat, namun prosesnya sederhana, sehingga kondusif untuk meningkatkan kepadatan pemasangan komponen.
