pesanan_bg

produk

Chip IC IRF7103TRPBF Komponen Elektronik Baru dan Asli

Deskripsi Singkat:


Rincian produk

Label Produk

Atribut Produk

JENIS KETERANGAN
Kategori Produk Semikonduktor Diskrit

Transistor – FET, MOSFET – Array

Mfr Teknologi Infineon
Seri HEXFET®
Kemasan Pita & Gulungan (TR)

Potong Pita (CT)

Digi-Reel®

Status Produk Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Standar
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus – Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 6.5A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5,8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id 1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 33nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds 650pF @ 25V
Daya – Maks 2W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (0,154″, Lebar 3,90mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-JADI
Nomor Produk Dasar IRF7313

Dokumen & Media

JENIS SUMBER DAYA TAUTAN
Lembar data IRF7313PbF
Dokumen Terkait Lainnya Sistem Penomoran Bagian IR
Modul Pelatihan Produk MOSFET Daya Diskrit 40V dan Di Bawah

Sirkuit Terpadu Tegangan Tinggi (Driver Gerbang HVIC)

Produk unggulan Sistem Pengolahan Data
Lembar Data HTML IRF7313PbF
Model Simulasi Model Pedang IRF7313

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

ATRIBUT KETERANGAN
Status RoHS Sesuai ROHS3
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) 1 (Tidak terbatas)
Status MENCAPAI REACH Tidak Terpengaruh
ECCN TELINGA99
HTSUS 8541.29.0095

Sumber daya tambahan

ATRIBUT KETERANGAN
Nama lain IRF7313PBFDKR

SP001562160

IRF7313PBFCT

IRF7313PBFTR

*IRF7313TRPBF

Paket standar 4.000

Transistor adalah perangkat semikonduktor yang biasa digunakan pada amplifier atau sakelar yang dikontrol secara elektronik.Transistor adalah blok bangunan dasar yang mengatur pengoperasian komputer, telepon seluler, dan semua sirkuit elektronik modern lainnya.

Karena kecepatan responsnya yang cepat dan akurasi yang tinggi, transistor dapat digunakan untuk berbagai fungsi digital dan analog, termasuk amplifikasi, switching, pengatur tegangan, modulasi sinyal, dan osilator.Transistor dapat dikemas secara individual atau dalam area yang sangat kecil yang dapat menampung 100 juta atau lebih transistor sebagai bagian dari suatu sirkuit terpadu.

Dibandingkan dengan tabung elektron, transistor memiliki banyak keunggulan:

1.Komponen tidak memiliki konsumsi

Betapapun bagusnya tabung tersebut, lambat laun akan rusak karena perubahan atom katoda dan kebocoran udara yang kronis.Karena alasan teknis, transistor mempunyai masalah yang sama ketika pertama kali dibuat.Dengan kemajuan material dan perbaikan di banyak aspek, transistor biasanya bertahan 100 hingga 1.000 kali lebih lama dibandingkan tabung elektronik.

2. Mengkonsumsi daya yang sangat sedikit

Itu hanya sepersepuluh atau puluhan dari salah satu tabung elektron.Tidak perlu memanaskan filamen untuk menghasilkan elektron bebas seperti tabung elektron.Radio transistor hanya memerlukan beberapa baterai kering untuk mendengarkan selama enam bulan dalam setahun, hal ini sulit dilakukan untuk radio tabung.

3. Tidak perlu dipanaskan terlebih dahulu

Bekerja segera setelah Anda menyalakannya.Misalnya, radio transistor mati segera setelah dinyalakan, dan televisi transistor menampilkan gambar segera setelah dihidupkan.Peralatan tabung vakum tidak bisa melakukan itu.Setelah booting, tunggu beberapa saat hingga terdengar suaranya, lihat gambarnya.Jelasnya, dalam bidang militer, pengukuran, pencatatan, dll., transistor sangat menguntungkan.

4. Kuat dan dapat diandalkan

100 kali lebih dapat diandalkan dibandingkan tabung elektron, tahan guncangan, tahan getaran, yang tidak ada bandingannya dengan tabung elektron.Selain itu, ukuran transistor hanya sepersepuluh hingga seperseratus dari ukuran tabung elektron, pelepasan panas yang sangat kecil, dapat digunakan untuk merancang rangkaian yang kecil, kompleks, dan andal.Meskipun proses pembuatan transistor tepat, namun prosesnya sederhana, sehingga kondusif untuk meningkatkan kepadatan pemasangan komponen.


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami